‘글로벌 혁신으로 성장하는 SK하이닉스!’ 구성원이 직접 뽑은 SK하이닉스 대상을 만나다.(사진제공=SK하이닉스)

[아시아뉴스통신=박성근 기자]SK하이닉스는 14일 이천캠퍼스 R&D센터에서 ‘SK하이닉스 대상’ 시상식을 열고, 지난해 회사 발전에 기여한 우수 성과들을 포상했다고 17일 밝혔다.
이 자리에는 SK하이닉스 박정호 대표이사 부회장, 곽노정 대표이사 사장을 비롯해 경영진과 구성원 200여 명이 모여 수상자들을 축하하고 격려했다.

SK하이닉스 대상은 구성원의 동기부여와 VWBE*를 고취하기 위해 전년도 사업 목표에 크게 기여한 조직에 포상하는 연례 행사로, 사내 최고 권위의 시상식이다.
올해는 BIC Tech 3개, Future Path Finding · Customer First · Social Value 각 1개씩 총 6개 사례가 선정됐다.

BIC Tech 분야에선 DRAM개발, 미래기술연구원, NAND개발에서 수상의 영예를 안았다. 각각 ‘HKMG 적용 1a나노 공정 LPDDR5 개발’, ‘D램 셀(Cell) 구조 혁신 및 넷다이(Net Die)* 경쟁력 극대화’, ‘176단 낸드 고객 인증 및 원가 경쟁력 향상’ 공로를 인정받았다.

SK 하이닉스 박정호 대표이사 부회장이 수상조직과 구성원들레게 축하 메세지를 전하고있다.

이날 박정호 부회장은 “SK하이닉스 기술 혁신의 중심에는 항상 구성원이 있고, 우리 기술이 세계 IT 발전에 큰 기여를 하고 있다는 것에 충분히 자부심을 가져도 된다”며 “세상에 없던 도전과 혁신으로 우리 SK하이닉스의 가치를 구성원 모두가 함께 증명해 글로벌 일류 기술기업으로 나아가자”고 말했다.

곽노정 사장은 “SK하이닉스 대상은 우리 회사를 발전시키는 가장 큰 원동력이자 지난 한 해 동안의 가장 훌륭한 성과를 모아서 축하하고 격려하는 의미 있는 자리”라며 “우리가 늘 이야기하던 VWBE와 SUPEX*가 어떻게 구현되는지 함께 느끼고 즐기기 바란다”고 말했다.


nolbupsk@naver.com